AMR傳感器非常適用于地磁場范圍內(nèi)的弱磁場測量，并已被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)航羅盤、旋轉(zhuǎn)位置傳感、電流傳感及VR頭部軌道跟蹤器。在線性和旋轉(zhuǎn)位置測量中，AMR傳感器需適配AMR傳感器磁體。
什么是各向異性磁電阻AMR效應(yīng)？
各向異性磁電阻AMR效應(yīng)是指鐵磁材料的電阻率隨施加于鐵磁材料上的外磁場同電流方向之間的夾角改變而變化的現(xiàn)象。AMR效應(yīng)由William Tompson于1857年在鐵磁多晶體中發(fā)現(xiàn)，但直到1971年利用AMR效應(yīng)制備磁盤磁頭后，AMR效應(yīng)及其應(yīng)用才得到重視。
各向異性磁敏材料被認為是AMR傳感器的核心材料。目前各向異性磁敏材料主要采用坡莫合金，其晶粒尺寸及形貌均對傳感器性能存在重要影響。
關(guān)于AMR傳感器磁體
燒結(jié)鐵氧體、燒結(jié)釹鐵硼磁體和燒結(jié)釤鈷磁體均可作為AMR傳感器磁體。較高的磁場強度利于減少雜散磁場對于AMR傳感器精度的影響。AMR傳感器與AMR傳感器磁體幾何中心的對準(zhǔn)程度亦對整個系統(tǒng)的誤差存在顯著影響。
